¹ÝµµÃ¼±â¼úÀåºñ±³À°¼¾ÅÍ
SETEC¼Ò°³
Àλ縻
¼³¸³¹è°æ&¼³¸³¿¬Çõ
ÁÖ°ü±â°ü
ã¾Æ¿À½Ã´Â±æ
±³À°¼Ò°³
Áýü±³À°°úÁ¤ ¾È³»
¿ø°Ý±³À°°úÁ¤ ¾È³»
¿¬°£±³À°ÀÏÁ¤
±³À°½Åû
±³À°½Åû¾È³»
Á¢¼ö±³À°¸ñ·Ï
À§Å¹°è¾à¼º¸±â
½Ã¼³¹×Àåºñ¾È³»
Ŭ¸°·ë
°ÀÇ½Ç ¹× ¼÷¼Ò
Ä¿¹Â´ÏƼ
°øÁö»çÇ×
Q&A
ÀÚÁÖÇÏ´ÂÁú¹®
S
emiconductor
E
quipment
T
echnology
E
ducation
C
enter
¹ÝµµÃ¼Àåºñ±â¼ú±³À°¼¾ÅÍ
Ä¿¹Â´ÏƼ
COMMUNITY
°øÁö»çÇ×
Q&A
ÀÚÁÖÇÏ´Â Áú¹®
°Ô½ÃÆÇ
Total 120°Ç
3 ÆäÀÌÁö
°Ô½ÃÆÇ °Ë»ö
±Û¾²±â
°Ô½ÃÆÇ ¸ñ·Ï
¹øÈ£
Á¦¸ñ
±Û¾´ÀÌ
Á¶È¸
³¯Â¥
90
6Â÷ ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤°úÁ¤ Áú¹®ÀÔ´Ï´Ù
´ñ±Û
1
°³
¾ÈÀº¼º
1819
06-01
89
11Â÷ ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤½Ç½À Ãë¼Ò ¿äû
´ñ±Û
1
°³
ÀÌÁعü
1822
06-11
88
ÀåºñÁø°ø±â¼ú°úÁ¤(2Â÷) ½Åû Ãë¼ÒÇÕ´Ï´Ù.
´ñ±Û
1
°³
À̽±Ô
1833
06-15
87
6Â÷ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ Ãë¼Ò ¿äû
´ñ±Û
1
°³
±Ç¹ÎÁ¾
1842
06-11
86
6Â÷ ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤ Áú¹®ÀÔ´Ï´Ù.
´ñ±Û
1
°³
¾ÈÀº¼º
1846
06-01
85
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤½Ç½À°úÁ¤ 12Â÷ ¹®ÀÇÀÔ´Ï´Ù
´ñ±Û
1
°³
¾ÈÀº¼º
1852
06-26
84
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤°úÁ¤(6Â÷) Ãë¼Ò
´ñ±Û
1
°³
±Ç¹ÎÁ¾
1858
06-19
83
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤°úÁ¤(5/15~5/19) ±³À° Ãë¼Ò¿äûµå¸³´Ï´Ù.
´ñ±Û
1
°³
Àü»óÁØ
1893
05-02
82
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤½Ç½À°úÁ¤ 13Â÷ ½Åû Áú¹®ÀÔ´Ï´Ù
´ñ±Û
1
°³
À̰ǿì
1938
07-03
81
±³À° Ãë¼Ò °Ç
´ñ±Û
1
°³
¹ÚÁعü
1988
03-08
80
ÇöóÁ ±â¼ú ±³À° °úÁ¤ °ü·Ã ¹®ÀÇ
´ñ±Û
1
°³
ÃÖ±¤ÈÖ
2021
07-31
79
dry etcher ±â¼ú°úÁ¤ ±³À° ¹®ÀÇ
´ñ±Û
1
°³
ÀÌÁö¿¬
2034
04-04
78
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤½Ç½À°úÁ¤ Ãë¼Ò¿äû
´ñ±Û
1
°³
³ëÁöÈÆ
2066
02-03
77
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ ½Ç½À 4Â÷ Ãë¼Ò
´ñ±Û
1
°³
À̰æ¹Î
2080
02-14
76
2/9 ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ ½Ç½À Ãë¼Ò
´ñ±Û
1
°³
±èÁö¿ì
2113
02-04
óÀ½
1
ÆäÀÌÁö
2
ÆäÀÌÁö
¿¸°
3
ÆäÀÌÁö
4
ÆäÀÌÁö
5
ÆäÀÌÁö
6
ÆäÀÌÁö
7
ÆäÀÌÁö
8
ÆäÀÌÁö
¸Ç³¡
±Û¾²±â
°Ë»ö
°Ë»ö´ë»ó
Á¦¸ñ
³»¿ë
Á¦¸ñ+³»¿ë
±Û¾´ÀÌ
±Û¾´ÀÌ(ÄÚ)
°Ë»ö¾î
Çʼö
°Ë»ö
´Ý±â