¹ÝµµÃ¼±â¼úÀåºñ±³À°¼¾ÅÍ
SETEC¼Ò°³
Àλ縻
¼³¸³¹è°æ&¼³¸³¿¬Çõ
ÁÖ°ü±â°ü
ã¾Æ¿À½Ã´Â±æ
±³À°¼Ò°³
Áýü±³À°°úÁ¤ ¾È³»
¿ø°Ý±³À°°úÁ¤ ¾È³»
¿¬°£±³À°ÀÏÁ¤
±³À°½Åû
±³À°½Åû¾È³»
Á¢¼ö±³À°¸ñ·Ï
À§Å¹°è¾à¼º¸±â
½Ã¼³¹×Àåºñ¾È³»
Ŭ¸°·ë
°ÀÇ½Ç ¹× ¼÷¼Ò
Ä¿¹Â´ÏƼ
°øÁö»çÇ×
Q&A
ÀÚÁÖÇÏ´ÂÁú¹®
S
emiconductor
E
quipment
T
echnology
E
ducation
C
enter
¹ÝµµÃ¼Àåºñ±â¼ú±³À°¼¾ÅÍ
Ä¿¹Â´ÏƼ
COMMUNITY
°øÁö»çÇ×
Q&A
ÀÚÁÖÇÏ´Â Áú¹®
°øÁö»çÇ×
Total 273°Ç
10 ÆäÀÌÁö
°Ô½ÃÆÇ °Ë»ö
°øÁö»çÇ× ¸ñ·Ï
¹øÈ£
Á¦¸ñ
±Û¾´ÀÌ
Á¶È¸
³¯Â¥
138
4¿ù(2) Á¤±Ô±³À° ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(Åë½Å/Áø°ø)
SETEC
2756
03-09
137
4¿ù(1) Á¤±Ô±³À° ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(ÆòÆÇ/¿¡ÃÄ/±âÃÊ)
SETEC
2522
02-22
136
3¿ù(2) Á¤±Ô±³À° ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(½Ç¹«¥±/½Ç¹«¥°)
SETEC
2538
02-09
135
3¿ù(1) Á¤±Ô±³À° ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(ÇöóÁ/±âÃÊ)
SETEC
2392
01-26
134
2017³â 2¿ù Á¤±Ô±³À° ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(±âÃÊ)
SETEC
2325
01-26
133
*ÀÏÁ¤º¯°æ* 2017 Á¤±Ô±³À°ÀÏÁ¤ º¯°æ ¾È³» (17.03.20 ±âÁØ)
SETEC
4363
12-09
132
2017 Á¤±Ô±³À° ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö±â°£ ¾È³»
SETEC
4554
12-01
131
Çѱ¹±â¼ú±³À°´ëÇб³ °³±³±â³äÀÏ(11/2) ÈÞ¹« ¾È³»
SETEC
2413
11-01
130
12¿ù Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(Åë½Å/±âÃÊ)
SETEC
2375
10-28
129
11¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(½Ç¹«¥°/ÇöóÁ)
SETEC
2208
10-14
128
11¿ù(1) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(½Ç¹«¥±/±âÃÊ)
SETEC
2313
09-30
127
10¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(±âÃÊ/Áø°ø)
SETEC
2374
09-09
126
10¿ù(1) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(PECVD.ALD/ÆòÆÇ)
SETEC
2292
09-02
125
9¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(±âÃÊ/Dry Etcher)
SETEC
2285
08-19
124
9¿ù Á¦2Â÷ Dry Etcher±â¼ú°úÁ¤ ÀÏÁ¤ 2Â÷ º¯°æ ¾È³»(2016.08.18 ±âÁØ)
SETEC
2337
08-18
óÀ½
1
ÆäÀÌÁö
2
ÆäÀÌÁö
3
ÆäÀÌÁö
4
ÆäÀÌÁö
5
ÆäÀÌÁö
6
ÆäÀÌÁö
7
ÆäÀÌÁö
8
ÆäÀÌÁö
9
ÆäÀÌÁö
¿¸°
10
ÆäÀÌÁö
´ÙÀ½
¸Ç³¡
°Ë»ö
°Ë»ö´ë»ó
Á¦¸ñ
³»¿ë
Á¦¸ñ+³»¿ë
±Û¾´ÀÌ
±Û¾´ÀÌ(ÄÚ)
°Ë»ö¾î
Çʼö
°Ë»ö
´Ý±â