¹ÝµµÃ¼±â¼úÀåºñ±³À°¼¾ÅÍ
SETEC¼Ò°³
Àλ縻
¼³¸³¹è°æ&¼³¸³¿¬Çõ
ÁÖ°ü±â°ü
ã¾Æ¿À½Ã´Â±æ
±³À°¼Ò°³
Áýü±³À°°úÁ¤ ¾È³»
¿ø°Ý±³À°°úÁ¤ ¾È³»
¿¬°£±³À°ÀÏÁ¤
±³À°½Åû
±³À°½Åû¾È³»
Á¢¼ö±³À°¸ñ·Ï
À§Å¹°è¾à¼º¸±â
½Ã¼³¹×Àåºñ¾È³»
Ŭ¸°·ë
°ÀÇ½Ç ¹× ¼÷¼Ò
Ä¿¹Â´ÏƼ
°øÁö»çÇ×
Q&A
ÀÚÁÖÇÏ´ÂÁú¹®
S
emiconductor
E
quipment
T
echnology
E
ducation
C
enter
¹ÝµµÃ¼Àåºñ±â¼ú±³À°¼¾ÅÍ
Ä¿¹Â´ÏƼ
COMMUNITY
°øÁö»çÇ×
Q&A
ÀÚÁÖÇÏ´Â Áú¹®
°øÁö»çÇ×
Total 274°Ç
7 ÆäÀÌÁö
°Ô½ÃÆÇ °Ë»ö
°øÁö»çÇ× ¸ñ·Ï
¹øÈ£
Á¦¸ñ
±Û¾´ÀÌ
Á¶È¸
³¯Â¥
184
2021³â 8¿ù Á¤±Ô±³À°ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³» (°øÁ¤,ÇöóÁ)
SETEC
2328
07-15
183
2022³â 6¿ù(1) Á¤±Ô±³À°ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³»(PECVD, °øÁ¤)
SETEC
2326
04-28
182
10¿ù(1) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(PECVD.ALD/ÆòÆÇ)
SETEC
2325
09-02
181
*5¿ù(1)* Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(±âÃÊ)
SETEC
2324
04-01
180
3¿ù(1) Á¤±Ô±³À° ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³»(ÆòÆÇ/±âÃÊ)
SETEC
2322
01-25
179
SETEC 4¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³»
SETEC
2320
03-02
178
SETEC 4¿ù(1) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³»
SETEC
2317
02-17
177
*4¿ù(1)* Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(Áø°ø/±âÃÊ)
SETEC
2317
02-21
176
9¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(±âÃÊ/Dry Etcher)
SETEC
2317
08-19
175
*5¿ù(2)* Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»(ÀåºñÅë½Å/ÇöóÁ)
SETEC
2313
04-16
174
SETEC 5¿ù(1) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³»
SETEC
2309
03-15
173
*ÀÏÁ¤º¯°æ* 2014³â ¿¬°£±³À°ÀÏÁ¤ º¯°æ ¾È³»(2014.03.26 ±âÁØ)
SETEC
2307
03-26
172
SETEC 5¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³»
SETEC
2302
04-02
171
SETEC 3¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö¾È³»
SETEC
2299
02-02
170
SETEC 9¿ù(2) Á¤±Ô±³À°°úÁ¤ ÀÏÁ¤ ¹× Á¢¼ö ¾È³»
SETEC
2298
08-02
óÀ½
1
ÆäÀÌÁö
2
ÆäÀÌÁö
3
ÆäÀÌÁö
4
ÆäÀÌÁö
5
ÆäÀÌÁö
6
ÆäÀÌÁö
¿¸°
7
ÆäÀÌÁö
8
ÆäÀÌÁö
9
ÆäÀÌÁö
10
ÆäÀÌÁö
´ÙÀ½
¸Ç³¡
°Ë»ö
°Ë»ö´ë»ó
Á¦¸ñ
³»¿ë
Á¦¸ñ+³»¿ë
±Û¾´ÀÌ
±Û¾´ÀÌ(ÄÚ)
°Ë»ö¾î
Çʼö
°Ë»ö
´Ý±â