집체교육과정 안내
- 본 센터에 직접 오셔서 교육을 수강
- 모든 과정은 비환급과정으로 진행
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-반도체 관련 지식이 부족한 분들, 신입사원 등 대상으로 기초부터 강의 -반도체 전공정 및 후공정 전반적인 내용 포함 -반도체 개념부터 소자, 장비, 산업 등 전반에 대한 내용 포함 -그림 등을 위주로, 이해 중심의 설명 -현재 산업체에서 사용하고 있는 기술을 기반으로 한 내용 -공정실습시 교육생이 직접 참여하며, 실습에서 교육생이 제작한 웨이퍼는 본인에게 제공 |
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| 교육내용 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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- 반도체 개요 및 소자 (반도체 기초, 트랜지스터, 메모리 등) - 칩 제조 개요 및 재료 준비 (웨이퍼 및 마스크 등) - 산화공정(Oxidation) - 막증착공정(Deposition) (CVD, PVD) - Photo공정(PhotoLithography) - 식각공정(Etching) - 불순물주입공정(Doping) - 평탄화공정(Planarization) - 세정공정(Cleaning) - 주요 Fab Process - Diode 및 MOSFET 제조공정 - 반도체 패키지 및 테스트 공정 - 막증착공정 실습 ·열산화공정: Oxidation furnace 장비를 이용하여 산화막 형성 ·CVD, PVD 공정 ·형성된 막의 특성(두께, 저항 등) 평가 진행 -포토에치공정 실습 ·포토공정: Manual 및 Track 장비를 이용하여 포토공정 진행 ·에치공정: 습식 및 건식 장비를 이용하여 식각공정 진행 ·형성된 패턴 확인 - 공정 시뮬레이션 실습 ·TCAD 를 이용한 주요 공정 시뮬레이션 소개 |
교육기간 | 5일 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 교수 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 실습, 토론 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 800,000원 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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-반도체 관련 지식이 부족한 분들, 신입사원 등 대상으로 기초부터 강의 -반도체 전공정 및 후공정 전반적인 내용 포함 -반도체 개념부터 소자, 장비, 산업 등 전반에 대한 내용 포함 -그림 등을 위주로, 이해 중심의 설명 -현재 산업체에서 사용하고 있는 기술을 기반으로 한 내용 -공정실습시 교육생이 직접 참여하며, 실습에서 교육생이 제작한 웨이퍼는 본인에게 제공 |
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| 교육내용 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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-반도체 개요 (소자, 산업, 웨이퍼 외) -산화공정(Oxidation) -막증착공정(Deposition) (CVD, PVD) -Photo 및 식각공정(Photolithography & Etching) -불순물주입, 평탄화, 세정공정(Doping & Planarization & Cleaning) -소자제조공정 -막증착공정 실습 ·열산화공정: Oxidation furnace 장비를 이용하여 산화막 형성 ·CVD, PVD 공정 ·형성된 막의 특성(두께, 저항 등) 평가 진행 -포토에치공정 실습 ·포토공정: Manual 및 Track 장비를 이용하여 포토공정 진행 ·에치공정: 습식 및 건식 장비를 이용하여 식각공정 진행 ·형성된 패턴 확인 |
교육기간 | 3일 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 교수 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 실습, 토론 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 600,000원 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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-양산용 장비 등을 활용해 반도체 핵심공정을 실제 경험해봄으로써, 공정에 대한 확실한 개념을 확립 -실습에서 제작한 웨이퍼는 교육생 제공 |
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| 교육내용 | |||||||||||||||
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· 막증착공정 실습 - 열산화공정 : Oxidation furnace 장비를 이용하여 산화막 형성 - CVD PVD공정 - 형성된 막의 특성(두께, 저항 등) 평가 진행 · 포토에치공정 실습 - 포토공정 : Manual 및 Track 장비를 이용하여 포토공정 진행 - 에치공정 : 습식 및 건식 장비를 이용하여 식각공정 진행 - 형성된 패턴 확인 |
교육기간 | 1일 | |||||||||||||
| 강사진 | 교수 | ||||||||||||||
| 교육방법 | 실습 | ||||||||||||||
| 교육비 | 250,000원 | ||||||||||||||
| 교육시간표 | |||||||||||||||
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| 반도체 제조 공정은 전공정인 FAB 공정과 후공정인 패키지 공정으로 나뉜다. 반도체실무과정I은 전공정에 관한 교육으로, 반도체 기초과정을 수료했거나 반도체 공정에 대한 개략적 개념이 있는 재직자를 대상으로 한다. 전체 반도체 제조 공정 및 단위 공정에 대한 교육을 진행하며, 현재 공정 기술 및 앞으로의 동향에 대해 파악할 수 있다. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육내용 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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·Metallization Process ·CVD 공정기술 이해 및 장비 ·Wet Cleaning Process ·분석기술 ·Transistor의 기초 및 메모리셀 동작 |
교육기간 | 5일 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 업체전문가(하이닉스반도체 외) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 토론 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 500,000원 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 후공정 전문 업체인 앰코테크놀로지 전문가에 의해 반도체 후공정 기술에 대해 실무적 교육이 진행된다. 현재 패키징 기술의 현황 및 앞으로의 동향에 대해 파악할 수 있는 기회를 제공한다. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육내용 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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·조립공정 개요 ·FRONT END 공정 ·BACK END 공정 ·History of Packinaging 기술동향 ·New Package ·반도체 특허전략 |
교육기간 | 3일 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 업체전문가(앰코테크놀로지 외) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 토론 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 350,000원 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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| TFT-LCD, OLED 등 평판 디스플레이의 구조, 동작원리, 제조공정 및 장비에 대한 교육이 이루어진다. 공정 및 장비에 대한 실무적인 교육 외에 배경, 동작원리, 특징 등 기초적인 개념 부분도 포함되어 있어 전체적인 내용을 다루게 된다. FPD 기술현황 및 앞으로의 동향에 대해 파악할 수 있는 기회를 제공한다. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육내용 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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·디스플레이 기초 ·디스플레이 기본 구조 및 원리 ·디스플레이 공정 ·OLED 재료 및 소자 |
·OLED 공정 및 설비 ·디스플레이 광학 개론 ·Flexible OLED 소개 ·OLED 코팅 기술 |
교육기간 | 4일 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 교수 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 토론 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 450,000원 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 반도체, 평판디스플레이, 태양전지 등의 제작 공정에 사용되는 다양한 플라즈마 공정 및 장비에 대한 이론으로 구성된다. 플라즈마 이론 기초, 플라즈마소스 기술과 PVD, PECVD, 에칭 및 표면처리 공정의 원리와 관련 장비에 대하여 강의한다. 또한 플라즈마 RF기술과 RF장비기술, 플라즈마 진단기술 강의를 통하여 플라즈마의 특성을 이해한다. 간단한 플라즈마 진단기술 실습도 진행한다. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육내용 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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교육기간 | 4일 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 업체전문가, 교수 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 실습, 토론 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 400,000원 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 반도체 소자와 평판디스플레이 제품 등을 생산하기 위한 핵심 기술인 진공 기술에 대해 기초에서부터 응용 분야까지 이해할 수 있도록 교육이 진행된다. 진공 형성 및 유지를 위한 진공 펌프의 종료, 구조, 작동원리를 이해하고 공정과 연계하여 진공 배기 시스템에서 발생하는 문제, 누설(Leakage)로 인핸 문제, 간단한 진공 시스템의 구성과 운영 그리고 진공 Chamber를 설계하는데 있어 필요한 기초 지식 등을 이해 할 수 있다. |
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| 교육내용 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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·진공의 기초, 진공응용 및 적용 예 ·공정관련 진공배기 시스템의 문제점과 해결방안 ·진공펌프배기 Mechanism의 이해 ·리크탐지 기초 및 방법, 리크감지실습 ·진공게이지 종류, 원리 및 특성 ·진공 Chamber 설계 ·실습(진공시스템, 진공펌프 배기속력 측정, 진공게이지 Calibration) |
교육기간 | 4일 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 업체전문가, 교수 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 실습, 토론 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 400,000원 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 반도체 생산장비의 표준 통신 규약인 SECS 프로토콜(SECS-I, SECS-II, HSMS)의 내용과 그 활용에 관해 교육한다. 또한 반도체 장비 운용의 표준 모델인 GEM과 300mm 웨이퍼 공정을 위해 추가된 GEM300 표준 사양에 대한 내용을 이해하고, 이를 장비 운용에 적용하는 방법과 통신사양서를 작성하는 방법을 익힌다. |
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| 교육내용 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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·SECS-I, SECS-II, HSMS 표준분석 ·GEM 표준 분석 ·300mm 공정을 위한 GEM300 표준 분석 ·GEM 통신 사양서 작성법 |
교육기간 | 3일 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 업체전문가 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 토론 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 300,000원 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 나노급 반도체 공정의 핵심 기술인 건식, 식각의 공정 기술과 장비 기술에 대한 강의로 이루어지며, 플라즈마 발생 원리, 플라즈마 물리적, 화학적 특성, 플라즈마 에칭 공정의 특성, RF기술에 대한 교육이 진행된다. 본 과정을 통해 플라즈마 건식 식각공정에서 장비특성, 공정변수와 공정 결과를 플라즈마 내의 전자, 이온, 라디칼의 특성변화와 연결하여 이해할 수 있는 기초 지식을 습득하는 것을 목표로 한다. 또한 플라즈마와 Dry Etching 공정을 이해하고 플라즈마 Dry Etcher 설계를 위한 기초적 지식을 습득하는 것을 목표로 한다. 간단한 플라즈마 시뮬레이션을 통하여 공정조건에 따른 플라즈마 변화도 실습한다. |
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| 교육내용 | ||||||||||||||||||||||||||||
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교육기간 | 3일 | |||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 업체전문가, 교수 | |||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 실습, 토론 | |||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 300,000원 | |||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | ||||||||||||||||||||||||||||
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| 박막 증착에 사용되는 PECVD/ALD 공정의 표면 화학 증착 반응에 대한 기본적 강의와 대면적 균일도 향상을 위한 가스 유동에 대한 이론 소개, 플라즈마원의 특징 및 플라즈마가 표면 증착 반응에 미치는 영향 등에 대해서 강의한다. | |||||||||||||||||||||||||||||
| 교육내용 | |||||||||||||||||||||||||||||
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·화학반응 기초 ·진공내 표면반응의 원리와 유동의 영향 ·PECVD 공정원리 및 응용 ·PECVD 장비의 구성 ·ALD/PEALD 공정 원리 ·ALD/PEALD 응용 예와 장비 구성 |
교육기간 | 3일 | |||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 업체전문가, 교수 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 토론 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 300,000원 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | |||||||||||||||||||||||||||||
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| 반도체에 대한 기본 지식이 있는 교육생을 대상으로 반도체의 소자 구조 및 동작, 소자의 집적화 등에 대한 기술적인 이해가 교육의 목표이다. 본 교육에서는 집적화 과정에 대한 기초 및 심층 이해에 집중하며, 특히 Memory 소자로써 DRAM, NAND Flash Memory, 그리고 Logic 소자에 대한 집적화 과정을 Illustraion 및 Animation 등을 활용해서 보다 쉽게 설명하면서 교육생의 이해도를 높힌다. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 교육내용 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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·DRAM Technology ·Flash Memory Technology ·Logic Technology |
교육기간 | 3일 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 강사진 | 교수 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 교육방법 | 강의, 토론 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 교육비 | 350,000원 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 교육시간표 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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