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¹ÝµµÃ¼Àåºñ±â¼ú±³À°¼¾ÅÍ

Áýü±³À°°úÁ¤ ¾È³»

- º» ¼¾ÅÍ¿¡ Á÷Á¢ ¿À¼Å¼­ ±³À°À» ¼ö°­
- ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤°úÁ¤ µî ÃÑ 11°³ÀÇ ±³À°°úÁ¤ °³¼³
- °í¿ëº¸Çè ȯ±Þ°úÁ¤(*¹ÝµµÃ¼°øÁ¤ ½Ç½À°úÁ¤, ¹ÝµµÃ¼ÁýÀûÈ­°úÁ¤ Á¦¿Ü)

- ±âÁ¸ "¹ÝµµÃ¼±âÃÊ°úÁ¤"À» ¾÷µ¥ÀÌÆ®ÇÑ °úÁ¤
- °ü·ÃÁö½ÄÀÌ ºÎÁ·ÇÑ ºÐµé, ½ÅÀÔ»ç¿ø µî ´ë»óÀ¸·Î ±âÃʺÎÅÍ °­ÀÇ
- ¹ÝµµÃ¼ °³³äºÎÅÍ ¼ÒÀÚ, °øÁ¤, Àåºñ, »ê¾÷ µî Àü¹Ý¿¡ ´ëÇÑ ³»¿ë Æ÷ÇÔ
- ±×¸² µîÀ» À§ÁÖ·Î, ÀÌÇØÁß½ÉÀÇ ¼³¸í
- ÇöÀç »ê¾÷ü¿¡¼­ »ç¿ëÇÏ°í ÀÖ´Â ±â¼úÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ ³»¿ë
±³À°³»¿ë      
¡¤¹ÝµµÃ¼ °³¿ä ¹× ¼ÒÀÚ
¡¤»êÈ­°øÁ¤(Oxidation)
¡¤¸·ÁõÂø °øÁ¤ ½Ç½À
¡¤½Ä°¢ °øÁ¤(Etching)
¡¤Æòźȭ °øÁ¤(Planarization)
¡¤Æ÷Åä¿¡Ä¡ ½Ç½À
¡¤Diode ¹× MOSFET Á¦Á¶ °øÁ¤
¡¤Ä¨ Á¦Á¶ °³¿ä ¹× Àç·á Áغñ
¡¤¸·ÁõÂø °øÁ¤(Deposition)
¡¤Photo °øÁ¤(PhotoLithography)
¡¤ºÒ¼ø¹° ÁÖÀÔ °øÁ¤(Doping)
¡¤¼¼Á¤ °øÁ¤(Cleaning)
¡¤ÁÖ¿ä Process
¡¤¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ °ü·Ã ±â¼ú
±³À°±â°£ 5ÀÏ
°­»çÁø ±³¼ö
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, ¿µ»óÀÚ·á, ½Ç½À, Åä·Ð
±³À°ºñ 700,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷ 4ÀÏÂ÷ 5ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  »êÈ­°øÁ¤
Oxidation
Photo°øÁ¤
(Photolithography)
ºÒ¼ø¹°ÁÖÀÔ°øÁ¤
(Doping)
ÁÖ¿ä
Process
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
¹ÝµµÃ¼ °³¿ä
¹× ¼ÒÀÚ
¸·ÁõÂø°øÁ¤
(Deposition)
Æòźȭ°øÁ¤
(Planarization)
3±³½Ã
(10:00~10:50)
½Ä°¢°øÁ¤
(Etching)
Diode ¹× MOSFET
Á¦Á¶°øÁ¤
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
¹ÝµµÃ¼ °³¿ä
¹× ¼ÒÀÚ
¸·ÁõÂø°øÁ¤
(Deposition)
½Ä°¢°øÁ¤
(Etching)
¼¼Á¤°øÁ¤
(Cleaning)
Æ÷Åä¿¡Ä¡
½Ç½À(BÁ¶)
/
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤
°ü·Ã±â¼úII(AÁ¶)
5±³½Ã
(14:00~14:50)
¸·ÁõÂø
°øÁ¤½Ç½À(AÁ¶)
/
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤
°ü·Ã±â¼úI(BÁ¶)
¸·ÁõÂø
°øÁ¤½Ç½À(BÁ¶)
/
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤
°ü·Ã±â¼úI(AÁ¶)
Æ÷Åä¿¡Ä¡
½Ç½À(AÁ¶)
/
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤
°ü·Ã±â¼úII(BÁ¶)
6±³½Ã
(15:00~15:50)
Ĩ Á¦Á¶ °³¿ä
¹× Àç·áÁغñ
7±³½Ã
(16:00~16:50)
Åä·Ð ¹× ¼ö·á½Ä
¾ç»ê¿ë Àåºñ µîÀ» È°¿ëÇØ ¹ÝµµÃ¼ ÇٽɰøÁ¤À» ½ÇÁ¦ °æÇèÇØ º½À¸·Î½á, °øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ È®½ÇÇÑ °³³äÀ» È®¸³
½Ç½À¿¡ ¾Õ¼­, ÇÊ¿äÇÑ Áö½Ä µî¿¡ ´ëÇØ ¸®ºäÇÏ°í ½Ç½À ÁøÇà
±³À°³»¿ë      
¡¤ ¸·ÁõÂø°øÁ¤ ½Ç½À
  - ¿­»êÈ­°øÁ¤ : Oxidation furnace Àåºñ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© »êÈ­¸· Çü¼º
  - CVD°øÁ¤ : PECVD Àåºñ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© Àý¿¬¸· Çü¼º
  - PVD°øÁ¤ : Evaporator ¹× Sputter Àåºñ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ±Ý¼Ó¸· Çü¼º
  - Çü¼ºµÈ ¸·ÀÇ Æ¯¼º(µÎ²², ÀúÇ× µî) Æò°¡ ÁøÇà
¡¤ Æ÷Åä¿¡Ä¡°øÁ¤ ½Ç½À
  - Æ÷Åä°øÁ¤ : Manual ¹× Track Àåºñ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© Æ÷Åä°øÁ¤ ÁøÇà
  - ¿¡Ä¡°øÁ¤ : ½À½Ä ¹× °Ç½Ä Àåºñ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ½Ä°¢°øÁ¤ ÁøÇà
  - Çü¼ºµÈ ÆÐÅÏ È®ÀÎ
±³À°±â°£ 1ÀÏ
°­»çÁø ±³¼ö
±³À°¹æ¹ý ½Ç½À
±³À°ºñ 250,000¿ø
 
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£ ³»¿ë
09:20~09:30 µî·Ï
09:30~09:50 Ŭ¸°·ë ¾ÈÀü±³À° ¹× ¼Ò°³
10:00~11:50 ¸·ÁõÂø°øÁ¤ ¹× Æ÷Åä¿¡Ä¡°øÁ¤ ÀÌÇØ
Áß½Ä(12:00~13:00)
13:00~17:20 ¸·ÁõÂø°øÁ¤ ¹× Æ÷Åä¿¡Ä¡°øÁ¤ ½Ç½À
*¿¬°£±³À°ÀÏÁ¤ÂüÁ¶. ¿ù 2ȸ ½Ç½Ã.(1¿ù, 9¿ù 1ȸ ½Ç½Ã)
¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤Àº Àü°øÁ¤ÀÎ FAB °øÁ¤°ú ÈÄ°øÁ¤ÀÎ ÆÐÅ°Áö °øÁ¤À¸·Î ³ª´¶´Ù. ¹ÝµµÃ¼½Ç¹«°úÁ¤IÀº Àü°øÁ¤¿¡ °üÇÑ ±³À°À¸·Î, ¹ÝµµÃ¼ ±âÃÊ°úÁ¤À» ¼ö·áÇ߰ųª ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ °³·«Àû °³³äÀÌ ÀÖ´Â ÀçÁ÷ÀÚ¸¦ ´ë»óÀ¸·Î ÇÑ´Ù. Àüü ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤ ¹× ´ÜÀ§ °øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ ±³À°À» ÁøÇàÇϸç, ÇöÀç °øÁ¤ ±â¼ú ¹× ¾ÕÀ¸·ÎÀÇ µ¿Çâ¿¡ ´ëÇØ ÆľÇÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤ CMOS Á¦Á¶°øÁ¤
¡¤ Photo Lithography ±â¼ú ¹× Àåºñ
¡¤ Oxiadaion/Diffusion&ALD °øÁ¤±â¼ú ¹× Àåºñ
¡¤ ÀÌ¿ÂÁÖÀÔ ±â¼ú ¹× Àåºñ
¡¤ Etching ±â¼ú ¹× Àåºñ
¡¤Metallization Process
¡¤CVD °øÁ¤±â¼ú ÀÌÇØ ¹× Àåºñ
¡¤Wet Cleaning Process
¡¤ºÐ¼®±â¼ú
¡¤TransistorÀÇ ±âÃÊ ¹× ¸Þ¸ð¸®¼¿ µ¿ÀÛ
±³À°±â°£ 5ÀÏ
°­»çÁø ¾÷üÀü¹®°¡(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼ ¿Ü)
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, Åä·Ð
±³À°ºñ 500,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷ 4ÀÏÂ÷ 5ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  Oxidation/Diffusion
& ALD°øÁ¤
±â¼ú ¹× Àåºñ
Etching
±â¼ú ¹× Àåºñ
CVD °øÁ¤±â¼ú
ÀÌÇØ ¹× Àåºñ
ºÐ¼®±â¼ú
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
CMOS
Á¦Á¶°øÁ¤
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
CMOS
Á¦Á¶°øÁ¤
ÀÌ¿ÂÁÖÀÔ
±â¼ú ¹× Àåºñ
Metalization
Process
Wet Cleaning
Process
TrasistorÀÇ
±âÃÊ ¹× ¸Þ¸ð¸®¼¿
µ¿ÀÛ
5±³½Ã
(14:00~14:50)
Photo
lithography
±â¼ú ¹× Àåºñ
6±³½Ã
(15:00~15:50)
7±³½Ã
(16:00~16:50)
ÁúÀÇÀÀ´ä ÁúÀÇÀÀ´ä ÁúÀÇÀÀ´ä ÁúÀÇÀÀ´ä
ÈÄ°øÁ¤ Àü¹® ¾÷üÀÎ ¾ÚÄÚÅ×Å©³î·ÎÁö Àü¹®°¡¿¡ ÀÇÇØ ¹ÝµµÃ¼ ÈÄ°øÁ¤ ±â¼ú¿¡ ´ëÇØ ½Ç¹«Àû ±³À°ÀÌ ÁøÇàµÈ´Ù. ÇöÀç ÆÐŰ¡ ±â¼úÀÇ ÇöȲ ¹× ¾ÕÀ¸·ÎÀÇ µ¿Çâ¿¡ ´ëÇØ ÆľÇÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ±âȸ¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤Á¶¸³°øÁ¤ °³¿ä
¡¤FRONT END °øÁ¤
¡¤BACK END °øÁ¤
¡¤History of Packinaging ±â¼úµ¿Çâ
¡¤New Package
¡¤¹ÝµµÃ¼ ƯÇãÀü·«
±³À°±â°£ 3ÀÏ
°­»çÁø ¾÷üÀü¹®°¡(¾ÚÄÚÅ×Å©³î·ÎÁö ¿Ü)
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, Åä·Ð
±³À°ºñ 350,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  BACK END °øÁ¤
(Chip Attach,
Mold Package Saw)
History of Package
±â¼úµ¿Çâ
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
Á¶¸³°øÁ¤ ¹× °³¿ä
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
FRONT END °øÁ¤
(DICING,
DIE BONDING,
WIRE BONDING)
BACK END °øÁ¤
(Solder Ball Attach,
Reliability Test
New Package
5±³½Ã
(14:00~14:50)
6±³½Ã
(15:00~15:50)
7±³½Ã
(16:00~16:50)
¹ÝµµÃ¼ ƯÇãÀü·«
8±³½Ã
(17:00~17:50)
Åä·Ð ¹× ¼ö·á½Ä
TFT-LCD, OLED µî ÆòÆÇ µð½ºÇ÷¹ÀÌÀÇ ±¸Á¶, µ¿ÀÛ¿ø¸®, Á¦Á¶°øÁ¤ ¹× Àåºñ¿¡ ´ëÇÑ ±³À°ÀÌ ÀÌ·ç¾îÁø´Ù. °øÁ¤ ¹× Àåºñ¿¡ ´ëÇÑ ½Ç¹«ÀûÀÎ ±³À° ¿Ü¿¡ ¹è°æ, µ¿ÀÛ¿ø¸®, Ư¡ µî ±âÃÊÀûÀÎ °³³ä ºÎºÐµµ Æ÷ÇԵǾî ÀÖ¾î ÀüüÀûÀÎ ³»¿ëÀ» ´Ù·ç°Ô µÈ´Ù. FPD ±â¼úÇöȲ ¹× ¾ÕÀ¸·ÎÀÇ µ¿Çâ¿¡ ´ëÇØ ÆľÇÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ±âȸ¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤µð½ºÇ÷¹ÀÌ ±âÃÊ
¡¤µð½ºÇ÷¹ÀÌ ±âº» ±¸Á¶ ¹× ¿ø¸®
¡¤µð½ºÇ÷¹ÀÌ °øÁ¤
¡¤OLED Àç·á ¹× ¼ÒÀÚ
¡¤OLED °øÁ¤ ¹× ¼³ºñ
¡¤µð½ºÇ÷¹ÀÌ ±¤ÇÐ °³·Ð
¡¤Flexible OLED ¼Ò°³
¡¤OLED ÄÚÆà ±â¼ú
±³À°±â°£ 4ÀÏ
°­»çÁø ±³¼ö
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, Åä·Ð
±³À°ºñ 450,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷ 4ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  µð½ºÇ÷¹ÀÌ °øÁ¤ OLED
°øÁ¤ ¹× ¼³ºñ
µð½ºÇ÷¹ÀÌ
±¤ÇÐ °³·Ð
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
µð½ºÇ÷¹ÀÌ ±âÃÊ
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Flexible
OLED¼Ò°³
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
µð½ºÇ÷¹ÀÌ
±âº» ±¸Á¶ ¹× ¿ø¸®
OLED
Àç·á ¹× ¼ÒÀÚ
OLED
°øÁ¤ ¹× ¼³ºñ
Flexible
OLED¼Ò°³
5±³½Ã
(14:00~14:50)
OLED ÄÚµù±â¼ú
6±³½Ã
(15:00~15:50)
7±³½Ã
(16:00~16:50)
Åä·Ð ¹× ¼ö·á½Ä
¹ÝµµÃ¼, ÆòÆǵð½ºÇ÷¹ÀÌ, žçÀüÁö µîÀÇ Á¦ÀÛ °øÁ¤¿¡ »ç¿ëµÇ´Â ´Ù¾çÇÑ ÇöóÁ °øÁ¤ ¹× Àåºñ¿¡ ´ëÇÑ ÀÌ·ÐÀ¸·Î ±¸¼ºµÈ´Ù. ÇöóÁ ÀÌ·Ð ±âÃÊ, ÇöóÁ¼Ò½º ±â¼ú°ú PVD, PECVD, ¿¡Äª ¹× Ç¥¸éó¸® °øÁ¤ÀÇ ¿ø¸®¿Í °ü·Ã Àåºñ¿¡ ´ëÇÏ¿© °­ÀÇÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ÇöóÁ RF±â¼ú°ú RFÀåºñ±â¼ú, ÇöóÁ Áø´Ü±â¼ú °­ÀǸ¦ ÅëÇÏ¿© ÇöóÁÀÇ Æ¯¼ºÀ» ÀÌÇØÇÑ´Ù. °£´ÜÇÑ ÇöóÁ Áø´Ü±â¼ú ½Ç½Àµµ ÁøÇàÇÑ´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤ ÇöóÁ ÀÌ·Ð ±âÃÊ
¡¤ ÇöóÁ Source Technology
¡¤ ÇöóÁ³»ÀÇ È­ÇйÝÀÀ°ú Àü´ÞÇö»ó
¡¤ ÇöóÁ PVD, CVD, ¿¡Äª, Ç¥¸éó¸® ¸ÞÄ«´ÏÁò
¡¤ ÇöóÁ Àåºñ RF ±â¼ú
¡¤ ÇöóÁ RFÀåºñ RF ÀÓÇÇ´ø½º ¸ÅÃÄ ±â¼ú
¡¤ ÇöóÁ ³»ºÎ º¯¼ö
¡¤ ÇöóÁ Áø´Ü ±â¼ú ½Ç½À(OES)
¡¤ ÇöóÁ Áø´Ü ±â¼ú(OES)
±³À°±â°£ 4ÀÏ
°­»çÁø ¾÷üÀü¹®°¡, ±³¼ö
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, ½Ç½À, Åä·Ð
±³À°ºñ 400,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷ 4ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  ÇöóÁ³»ÀÇ
È­ÇйÝÀÀ°ú Àü´ÞÇü»ó
ÇöóÁÀåºñ
RF񃬣
ÇöóÁ
Áø´Ü±â¼ú
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
ÇöóÁ
À̷бâÃÊ
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
ÇöóÁ
Source Technology
ÇöóÁ PVD,
CVD, ¿¡Äª
Ç¥¸éó¸® ¸ÞÄ«´ÏÁò
ÇöóÁ
RFÀåºñ ¹×
RF ÀÓÇÇ´ø½º
¸Åó±â¼ú
ÇöóÁ
Áø´Ü±â¼ú½Ç½À(OES)
5±³½Ã
(14:00~14:50)
ÇöóÁ À¯Áö ¹×
°ü¸® °ü·Ã ½Ç½À
6±³½Ã
(15:00~15:50)
7±³½Ã
(16:00~16:50)
Åä·Ð ¹× ¼ö·á½Ä
¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¿Í ÆòÆǵð½ºÇ÷¹ÀÌ Á¦Ç° µîÀ» »ý»êÇϱâ À§ÇÑ ÇÙ½É ±â¼úÀÎ Áø°ø ±â¼ú¿¡ ´ëÇØ ±âÃÊ¿¡¼­ºÎÅÍ ÀÀ¿ë ºÐ¾ß±îÁö ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ±³À°ÀÌ ÁøÇàµÈ´Ù. Áø°ø Çü¼º ¹× À¯Áö¸¦ À§ÇÑ Áø°ø ÆßÇÁÀÇ Á¾·á, ±¸Á¶, ÀÛµ¿¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÏ°í °øÁ¤°ú ¿¬°èÇÏ¿© Áø°ø ¹è±â ½Ã½ºÅÛ¿¡¼­ ¹ß»ýÇÏ´Â ¹®Á¦, ´©¼³(Leakage)·Î ÀÎÇÚ ¹®Á¦, °£´ÜÇÑ Áø°ø ½Ã½ºÅÛÀÇ ±¸¼º°ú ¿î¿µ ±×¸®°í Áø°ø Chamber¸¦ ¼³°èÇϴµ¥ ÀÖ¾î ÇÊ¿äÇÑ ±âÃÊ Áö½Ä µîÀ» ÀÌÇØ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤Áø°øÀÇ ±âÃÊ, Áø°øÀÀ¿ë ¹× Àû¿ë ¿¹
¡¤°øÁ¤°ü·Ã Áø°ø¹è±â ½Ã½ºÅÛÀÇ ¹®Á¦Á¡°ú ÇØ°á¹æ¾È
¡¤Áø°øÆßÇÁ¹è±â MechanismÀÇ ÀÌÇØ
¡¤¸®Å©Å½Áö ±âÃÊ ¹× ¹æ¹ý, ¸®Å©°¨Áö½Ç½À
¡¤Áø°ø°ÔÀÌÁö Á¾·ù, ¿ø¸® ¹× Ư¼º
¡¤Áø°ø Chamber ¼³°è
¡¤½Ç½À(Áø°ø½Ã½ºÅÛ, Áø°øÆßÇÁ ¹è±â¼Ó·Â ÃøÁ¤, Áø°ø°ÔÀÌÁö Calibration)
±³À°±â°£ 4ÀÏ
°­»çÁø ¾÷üÀü¹®°¡, ±³¼ö
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, ½Ç½À, Åä·Ð
±³À°ºñ 400,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷ 4ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  Áø°øÆßÇÁ Á¾·ù
¹× »ç¿ë¹üÀ§
¸®Å©Å½Áö ±âÃÊ Áø°øChamber
¼³°è °³¿ä
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
Áø°ø½Ã½ºÅÛ
Áø°øÀÇ Á¤ÀÇ ¹× ´ÜÀ§
±â°è½Ä Áø°ø
ÆßÇÁ ±âÃÊ
¸®Å© ŽÁö ¹æ¹ý Áø°ø ¼ÒÀÚ ¼±ÅÃ
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Áõ±â¾Ð
±âüºÐÀڿ·Ð
°íÁø°ø ÆßÇÁ
(Åͺ¸ ºÐÀÚ,
Å©¶óÀÌ¿À ÆßÇÁ)
Çï·ý ¸®Å© ŽÁö Flange ¼±ÅÃ
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
±âüÈ帧
Conductance
ÀÔÀÚ ¿À¿° ¹×
¿ª·ù ¹®Á¦
¸®Å© °¨Áö ¹æ¹ý O-ring groove
Surface cleaning
5±³½Ã
(14:00~14:50)
¹è±â°úÁ¤ Á¦ÇÑ ±â±¸ °íÁø°ø ½Ã½ºÅÛ
(OLED °øÁ¤ µî)ÀÇ
Áø°ø ¹è±â ¹®Á¦
½Ç½À
(Áø°ø ½Ã½ºÅÛ/
Áø°øÆßÇÁ¹è±â ¼Ó·ÂÃøÁ¤/
Áø°ø°ÔÀÌÁö Calibration)
6±³½Ã
(15:00~15:50)
Áø°ø ÀÀ¿ë °øÁ¤ºÎ»ê¹° ¹®Á¦ Áø°ø ÃøÁ¤ ¹æ¹ý
7±³½Ã
(16:00~16:50)
Àû¿ë ¿¹ Áø°ø ÆßÇÁ
¼Òºñ Àü·Â ÀÌÇØ
Áø°ø °ÔÀÌÁö Ư¼º Åä·Ð ¹× ¼ö·á½Ä
¹ÝµµÃ¼ »ý»êÀåºñÀÇ Ç¥ÁØ Åë½Å ±Ô¾àÀÎ SECS ÇÁ·ÎÅäÄÝ(SECS-I, SECS-II, HSMS)ÀÇ ³»¿ë°ú ±× È°¿ë¿¡ °üÇØ ±³À°ÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ¹ÝµµÃ¼ Àåºñ ¿î¿ëÀÇ Ç¥ÁØ ¸ðµ¨ÀÎ GEM°ú 300mm ¿þÀÌÆÛ °øÁ¤À» À§ÇØ Ãß°¡µÈ GEM300 Ç¥ÁØ »ç¾ç¿¡ ´ëÇÑ ³»¿ëÀ» ÀÌÇØÇÏ°í, À̸¦ Àåºñ ¿î¿ë¿¡ Àû¿ëÇÏ´Â ¹æ¹ý°ú Åë½Å»ç¾ç¼­¸¦ ÀÛ¼ºÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ÀÍÈù´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤SECS-I, SECS-II, HSMS Ç¥Áغм®
¡¤GEM Ç¥ÁØ ºÐ¼®
¡¤300mm °øÁ¤À» À§ÇÑ GEM300 Ç¥ÁØ ºÐ¼®
¡¤GEM Åë½Å »ç¾ç¼­ ÀÛ¼º¹ý
±³À°±â°£ 3ÀÏ
°­»çÁø ¾÷üÀü¹®°¡
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, Åä·Ð
±³À°ºñ 300,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  GEM
Fundamental
Requirements
Process Job
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
SEMI Åë½Å Ç¥ÁØ ¼Ò°³ Control Job
3±³½Ã
(10:00~10:50)
SEMI-I Ç¥ÁØ ºÐ¼® Carrier Management
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
SEMI-II Ç¥ÁØ ºÐ¼® GEM
Additional
Capabilities
Carrier Management
5±³½Ã
(14:00~14:50)
Substrate Tracking
6±³½Ã
(15:00~15:50)
HSMS Ç¥ÁØ ºÐ¼® GEM »ç¾ç¼­ ¹×
Àåºñ ¿î¿µ ½Ã³ª¸®¿À
7±³½Ã
(16:00~16:50)
³ª³ë±Þ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ÀÇ ÇÙ½É ±â¼úÀÎ °Ç½Ä, ½Ä°¢ÀÇ °øÁ¤ ±â¼ú°ú Àåºñ ±â¼ú¿¡ ´ëÇÑ °­ÀÇ·Î ÀÌ·ç¾îÁö¸ç, ÇöóÁ ¹ß»ý ¿ø¸®, ÇöóÁ ¹°¸®Àû, È­ÇÐÀû Ư¼º, ÇöóÁ ¿¡Äª °øÁ¤ÀÇ Æ¯¼º, RF±â¼ú¿¡ ´ëÇÑ ±³À°ÀÌ ÁøÇàµÈ´Ù. º» °úÁ¤À» ÅëÇØ ÇöóÁ °Ç½Ä ½Ä°¢°øÁ¤¿¡¼­ ÀåºñƯ¼º, °øÁ¤º¯¼ö¿Í °øÁ¤ °á°ú¸¦ ÇöóÁ ³»ÀÇ ÀüÀÚ, ÀÌ¿Â, ¶óµðÄ®ÀÇ Æ¯¼ºº¯È­¿Í ¿¬°áÇÏ¿© ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ±âÃÊ Áö½ÄÀ» ½ÀµæÇÏ´Â °ÍÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ÇöóÁ¿Í Dry Etching °øÁ¤À» ÀÌÇØÇÏ°í ÇöóÁ Dry Etcher ¼³°è¸¦ À§ÇÑ ±âÃÊÀû Áö½ÄÀ» ½ÀµæÇÏ´Â °ÍÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÑ´Ù. °£´ÜÇÑ ÇöóÁ ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ» ÅëÇÏ¿© °øÁ¤Á¶°Ç¿¡ µû¸¥ ÇöóÁ º¯È­µµ ½Ç½ÀÇÑ´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤ ÇöóÁ ±âÃÊ
¡¤ ÇöóÁ Physic
¡¤ ÇöóÁ Etcher Source Á¾·ù
¡¤ ÇöóÁ ¿¡Äª °øÁ¤ ¸ÞÄ«´ÏÁò
¡¤ ÇöóÁ ¿¡Äª °øÁ¤ À̽´
¡¤ ÇöóÁ Etcher¿¡ µû¸¥ °øÁ¤ Ư¼º
¡¤ ÇöóÁ EtcherÀÇ RF Source ¼³°è ±â¼ú
¡¤ ÇöóÁ Simulation(O-D Simulation)
±³À°±â°£ 3ÀÏ
°­»çÁø ¾÷üÀü¹®°¡, ±³¼ö
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±³À°ºñ 300,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  ÇöóÁ ¿¡Äª °øÁ¤
¸ÞÄ«´ÏÁò
Plasma Simulation
(O-D Simulation)
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
ÇöóÁ ±âÃÊ
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
ÇöóÁ Physic
ÇöóÁ Etcher Source
Á¾·ù
ÇöóÁ ¿¡Äª °øÁ¤ À̽´
ÇöóÁ Etcher¿¡ µû¸¥
°øÁ¤ Ư¼º
Plasma EtcherÀÇ
RF Source ¼³°è ±â¼ú
5±³½Ã
(14:00~14:50)
6±³½Ã
(15:00~15:50)
7±³½Ã
(16:00~16:50)
¹Ú¸· ÁõÂø¿¡ »ç¿ëµÇ´Â PECVD/ALD °øÁ¤ÀÇ Ç¥¸é È­ÇÐ ÁõÂø ¹ÝÀÀ¿¡ ´ëÇÑ ±âº»Àû °­ÀÇ¿Í ´ë¸éÀû ±ÕÀϵµ Çâ»óÀ» À§ÇÑ °¡½º À¯µ¿¿¡ ´ëÇÑ ÀÌ·Ð ¼Ò°³, ÇöóÁ¿øÀÇ Æ¯Â¡ ¹× ÇöóÁ°¡ Ç¥¸é ÁõÂø ¹ÝÀÀ¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇ⠵ ´ëÇؼ­ °­ÀÇÇÑ´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤È­ÇйÝÀÀ ±âÃÊ
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¡¤PECVD °øÁ¤¿ø¸® ¹× ÀÀ¿ë
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¡¤ALD/PEALD ÀÀ¿ë ¿¹¿Í Àåºñ ±¸¼º
±³À°±â°£ 3ÀÏ
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±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, Åä·Ð
±³À°ºñ 300,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  PECVD °øÁ¤¿ø¸® ALD/PEALD °øÁ¤ ¿ø¸®
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
È­ÇйÝÀÀ ±âÃÊ
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
Áø°ø³» Ç¥¸é¹ÝÀÀÀÇ
¿ø¸®¿Í À¯µ¿ÀÇ ¿µÇâ
PECVD ÀåºñÀÇ ±¸¼º ALD/PEALD ÀÀ¿ë ¿¹¿Í
Àåºñ ±¸¼º
5±³½Ã
(14:00~14:50)
6±³½Ã
(15:00~15:50)
7±³½Ã
(16:00~16:50)
Åä·Ð ¹× ¼ö·á½Ä
¹ÝµµÃ¼¿¡ ´ëÇÑ ±âº» Áö½ÄÀÌ ÀÖ´Â ±³À°»ýÀ» ´ë»óÀ¸·Î ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¼ÒÀÚ ±¸Á¶ ¹× µ¿ÀÛ, ¼ÒÀÚÀÇ ÁýÀûÈ­ µî¿¡ ´ëÇÑ ±â¼úÀûÀÎ ÀÌÇØ°¡ ±³À°ÀÇ ¸ñÇ¥ÀÌ´Ù. º» ±³À°¿¡¼­´Â ÁýÀûÈ­ °úÁ¤¿¡ ´ëÇÑ ±âÃÊ ¹× ½ÉÃþ ÀÌÇØ¿¡ ÁýÁßÇϸç, ƯÈ÷ Memory ¼ÒÀڷνá DRAM, NAND Flash Memory, ±×¸®°í Logic ¼ÒÀÚ¿¡ ´ëÇÑ ÁýÀûÈ­ °úÁ¤À» Illustraion ¹× Animation µîÀ» È°¿ëÇؼ­ º¸´Ù ½±°Ô ¼³¸íÇϸ鼭 ±³À°»ýÀÇ ÀÌÇصµ¸¦ ³ôÈù´Ù.
±³À°³»¿ë      
¡¤DRAM Technology
¡¤Flash Memory Technology
¡¤Logic Technology
±³À°±â°£ 3ÀÏ
°­»çÁø ±³¼ö
±³À°¹æ¹ý °­ÀÇ, Åä·Ð
±³À°ºñ 350,000¿ø
±³À°½Ã°£Ç¥      
½Ã°£/Â÷¼ö 1ÀÏÂ÷ 2ÀÏÂ÷ 3ÀÏÂ÷
1±³½Ã
(09:00~09:50)
  Flash Memory Technology Logic Technology
µî·Ï ¹× ±³À°¼Ò°³
2±³½Ã
(10:00~10:50)
DRAM Technology
3±³½Ã
(10:00~10:50)
Áß½Ä(12:00~13:00)
4±³½Ã
(13:00~13:50)
DRAM Technology Flash Memory Technology Logic Technology
5±³½Ã
(14:00~14:50)
6±³½Ã
(15:00~15:50)
7±³½Ã
(16:00~16:50)
Åä·Ð ¹× ¼ö·á½Ä