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반도체장비기술교육센터

집체교육과정 안내

- 본 센터에 직접 오셔서 교육을 수강
- 반도체공정과정 등 총 11개의 교육과정 개설
- 고용보험 환급과정(*실습과정 제외)

- 기존 "반도체기초과정"을 업데이트한 과정
- 관련지식이 부족한 분들, 신입사원 등 대상으로 기초부터 강의
- 반도체 개념부터 소자, 공정, 장비, 산업 등 전반에 대한 내용 포함
- 그림 등을 위주로, 이해중심의 설명
- 현재 산업체에서 사용하고 있는 기술을 기반으로 한 내용
교육내용      
·반도체 개요 및 소자
·산화공정(Oxidation)
·막증착 공정 실습
·식각 공정(Etching)
·평탄화 공정(Planarization)
·포토에치 실습
·Diode 및 MOSFET 제조 공정
·칩 제조 개요 및 재료 준비
·막증착 공정(Deposition)
·Photo 공정(PhotoLithography)
·불순물 주입 공정(Doping)
·세정 공정(Cleaning)
·주요 Process
·반도체 공정 관련 기술
교육기간 5일
강사진 교수
교육방법 강의, 영상자료, 실습, 토론
교육비 700,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차 4일차 5일차
1교시
(09:00~09:50)
  산화공정
Oxidation
Photo공정
(Photolithography)
불순물주입공정
(Doping)
주요
Process
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
반도체 개요
및 소자
막증착공정
(Deposition)
평탄화공정
(Planarization)
3교시
(10:00~10:50)
식각공정
(Etching)
Diode 및 MOSFET
제조공정
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
반도체 개요
및 소자
막증착공정
(Deposition)
식각공정
(Etching)
세정공정
(Cleaning)
포토에치
실습(B조)
/
반도체공정
관련기술II(A조)
5교시
(14:00~14:50)
막증착
공정실습(A조)
/
반도체공정
관련기술I(B조)
막증착
공정실습(B조)
/
반도체공정
관련기술I(A조)
포토에치
실습(A조)
/
반도체공정
관련기술II(B조)
6교시
(15:00~15:50)
칩 제조 개요
및 재료준비
7교시
(16:00~16:50)
토론 및 수료식
양상용 장비 등을 활용해 반도체 핵심공정을 실제 경험해 봄으로써, 공정에 대한 확실한 개념을 확립
실습에 앞서, 필요한 지식 등에 대해 리뷰하고 실습 진행
교육내용      
· 막증착공정 실습
  - 열산화공정 : Oxidation furnace 장비를 이용하여 산화막 형성
  - CVD공정 : PECVD 장비를 이용하여 절연막 형성
  - PVD공정 : Evaporator 및 Sputter 장비를 이용하여 금속막 형성
  - 형성된 막의 특성(두께, 저항 등) 평가 진행
· 포토에치공정 실습
  - 포토공정 : Manual 및 Track 장비를 이용하여 포토공정 진행
  - 에치공정 : 습식 및 건식 장비를 이용하여 식각공정 진행
  - 형성된 패턴 확인
교육기간 1일
강사진 교수
교육방법 실습
교육비 250,000원
 
교육시간표      
시간 내용
09:20~09:30 등록
09:30~09:50 클린룸 안전교육 및 소개
10:00~11:50 막증착공정 및 포토에치공정 이해
중식(12:00~13:00)
13:00~17:20 막증착공정 및 포토에치공정 실습
*2021년 11월부터 매달 둘째, 넷째주 수요일 실시
반도체 제조 공정은 전공정인 FAB 공정과 후공정인 패키지 공정으로 나뉜다. 반도체실무과정I은 전공정에 관한 교육으로, 반도체 기초과정을 수료했거나 반도체 공정에 대한 개략적 개념이 있는 재직자를 대상으로 한다. 전체 반도체 제조 공정 및 단위 공정에 대한 교육을 진행하며, 현재 공정 기술 및 앞으로의 동향에 대해 파악할 수 있다.
교육내용      
· CMOS 제조공정
· Photo Lithography 기술 및 장비
· Oxiadaion/Diffusion&ALD 공정기술 및 장비
· 이온주입 기술 및 장비
· Etching 기술 및 장비
·Metallization Process
·CVD 공정기술 이해 및 장비
·Wet Cleaning Process
·분석기술
·Transistor의 기초 및 메모리셀 동작
교육기간 5일
강사진 업체전문가(하이닉스반도체 외)
교육방법 강의, 토론
교육비 500,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차 4일차 5일차
1교시
(09:00~09:50)
  Oxidation/Diffusion
& ALD공정
기술 및 장비
Etching
기술 및 장비
CVD 공정기술
이해 및 장비
분석기술
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
CMOS
제조공정
3교시
(10:00~10:50)
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
CMOS
제조공정
이온주입
기술 및 장비
Metalization
Process
Wet Cleaning
Process
Trasistor의
기초 및 메모리셀
동작
5교시
(14:00~14:50)
Photo
lithography
기술 및 장비
6교시
(15:00~15:50)
7교시
(16:00~16:50)
질의응답 질의응답 질의응답 질의응답
후공정 전문 업체인 앰코테크놀로지 전문가에 의해 반도체 후공정 기술에 대해 실무적 교육이 진행된다. 현재 패키징 기술의 현황 및 앞으로의 동향에 대해 파악할 수 있는 기회를 제공한다.
교육내용      
·조립공정 개요
·FRONT END 공정
·BACK END 공정
·History of Packinaging 기술동향
·New Package
·반도체 특허전략
교육기간 3일
강사진 업체전문가(앰코테크놀로지 외)
교육방법 강의, 토론
교육비 350,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차
1교시
(09:00~09:50)
  BACK END 공정
(Chip Attach,
Mold Package Saw)
History of Package
기술동향
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
조립공정 및 개요
3교시
(10:00~10:50)
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
FRONT END 공정
(DICING,
DIE BONDING,
WIRE BONDING)
BACK END 공정
(Solder Ball Attach,
Reliability Test
New Package
5교시
(14:00~14:50)
6교시
(15:00~15:50)
7교시
(16:00~16:50)
반도체 특허전략
8교시
(17:00~17:50)
토론 및 수료식
TFT-LCD, OLED 등 평판 디스플레이의 구조, 동작원리, 제조공정 및 장비에 대한 교육이 이루어진다. 공정 및 장비에 대한 실무적인 교육 외에 배경, 동작원리, 특징 등 기초적인 개념 부분도 포함되어 있어 전체적인 내용을 다루게 된다. FPD 기술현황 및 앞으로의 동향에 대해 파악할 수 있는 기회를 제공한다.
교육내용      
·디스플레이 기초
·디스플레이 기본 구조 및 원리
·디스플레이 공정
·OLED 재료 및 소자
·OLED 공정 및 설비
·디스플레이 광학 개론
·Flexible OLED 소개
·OLED 코팅 기술
교육기간 4일
강사진 교수
교육방법 강의, 토론
교육비 450,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차 4일차
1교시
(09:00~09:50)
  디스플레이 공정 OLED
공정 및 설비
디스플레이
광학 개론
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
디스플레이 기초
3교시
(10:00~10:50)
Flexible
OLED소개
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
디스플레이
기본 구조 및 원리
OLED
재료 및 소자
OLED
공정 및 설비
Flexible
OLED소개
5교시
(14:00~14:50)
OLED 코딩기술
6교시
(15:00~15:50)
7교시
(16:00~16:50)
토론 및 수료식
반도체, 평판디스플레이, 태양전지 등의 제작 공정에 사용되는 다양한 플라즈마 공정 및 장비에 대한 이론으로 구성된다. 플라즈마 이론 기초, 플라즈마소스 기술과 PVD, PECVD, 에칭 및 표면처리 공정의 원리와 관련 장비에 대하여 강의한다. 또한 플라즈마 RF기술과 RF장비기술, 플라즈마 진단기술 강의를 통하여 플라즈마의 특성을 이해한다. 간단한 플라즈마 진단기술 실습도 진행한다.
교육내용      
· 플라즈마 이론 기초
· 플라즈마 Source Technology
· 플라즈마내의 화학반응과 전달현상
· 플라즈마 PVD, CVD, 에칭, 표면처리 메카니즘
· 플라즈마 장비 RF 기술
· 플라즈마 RF장비 RF 임피던스 매쳐 기술
· 플라즈마 내부 변수
· 플라즈마 진단 기술 실습(OES)
· 플라즈마 진단 기술(OES)
교육기간 4일
강사진 업체전문가, 교수
교육방법 강의, 실습, 토론
교육비 400,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차 4일차
1교시
(09:00~09:50)
  플라즈마내의
화학반응과 전달형상
플라즈마장비
RF기술
플라즈마
진단기술
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
플라즈마
이론기초
3교시
(10:00~10:50)
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
플라즈마
Source Technology
플라즈마 PVD,
CVD, 에칭
표면처리 메카니즘
플라즈마
RF장비 및
RF 임피던스
매처기술
플라즈마
진단기술실습(OES)
5교시
(14:00~14:50)
플라즈마 유지 및
관리 관련 실습
6교시
(15:00~15:50)
7교시
(16:00~16:50)
토론 및 수료식
반도체 소자와 평판디스플레이 제품 등을 생산하기 위한 핵심 기술인 진공 기술에 대해 기초에서부터 응용 분야까지 이해할 수 있도록 교육이 진행된다. 진공 형성 및 유지를 위한 진공 펌프의 종료, 구조, 작동원리를 이해하고 공정과 연계하여 진공 배기 시스템에서 발생하는 문제, 누설(Leakage)로 인핸 문제, 간단한 진공 시스템의 구성과 운영 그리고 진공 Chamber를 설계하는데 있어 필요한 기초 지식 등을 이해 할 수 있다.
교육내용      
·진공의 기초, 진공응용 및 적용 예
·공정관련 진공배기 시스템의 문제점과 해결방안
·진공펌프배기 Mechanism의 이해
·리크탐지 기초 및 방법, 리크감지실습
·진공게이지 종류, 원리 및 특성
·진공 Chamber 설계
·실습(진공시스템, 진공펌프 배기속력 측정, 진공게이지 Calibration)
교육기간 4일
강사진 업체전문가, 교수
교육방법 강의, 실습, 토론
교육비 400,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차 4일차
1교시
(09:00~09:50)
  진공펌프 종류
및 사용범위
리크탐지 기초 진공Chamber
설계 개요
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
진공시스템
진공의 정의 및 단위
기계식 진공
펌프 기초
리크 탐지 방법 진공 소자 선택
3교시
(10:00~10:50)
증기압
기체분자운동론
고진공 펌프
(터보 분자,
크라이오 펌프)
헬륨 리크 탐지 Flange 선택
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
기체흐름
Conductance
입자 오염 및
역류 문제
리크 감지 방법 O-ring groove
Surface cleaning
5교시
(14:00~14:50)
배기과정 제한 기구 고진공 시스템
(OLED 공정 등)의
진공 배기 문제
실습
(진공 시스템/
진공펌프배기 속력측정/
진공게이지 Calibration)
6교시
(15:00~15:50)
진공 응용 공정부산물 문제 진공 측정 방법
7교시
(16:00~16:50)
적용 예 진공 펌프
소비 전력 이해
진공 게이지 특성 토론 및 수료식
반도체 생산장비의 표준 통신 규약인 SECS 프로토콜(SECS-I, SECS-II, HSMS)의 내용과 그 활용에 관해 교육한다. 또한 반도체 장비 운용의 표준 모델인 GEM과 300mm 웨이퍼 공정을 위해 추가된 GEM300 표준 사양에 대한 내용을 이해하고, 이를 장비 운용에 적용하는 방법과 통신사양서를 작성하는 방법을 익힌다.
교육내용      
·SECS-I, SECS-II, HSMS 표준분석
·GEM 표준 분석
·300mm 공정을 위한 GEM300 표준 분석
·GEM 통신 사양서 작성법
교육기간 3일
강사진 업체전문가
교육방법 강의, 토론
교육비 300,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차
1교시
(09:00~09:50)
  GEM
Fundamental
Requirements
Process Job
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
SEMI 통신 표준 소개 Control Job
3교시
(10:00~10:50)
SEMI-I 표준 분석 Carrier Management
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
SEMI-II 표준 분석 GEM
Additional
Capabilities
Carrier Management
5교시
(14:00~14:50)
Substrate Tracking
6교시
(15:00~15:50)
HSMS 표준 분석 GEM 사양서 및
장비 운영 시나리오
7교시
(16:00~16:50)
나노급 반도체 공정의 핵심 기술인 건식, 식각의 공정 기술과 장비 기술에 대한 강의로 이루어지며, 플라즈마 발생 원리, 플라즈마 물리적, 화학적 특성, 플라즈마 에칭 공정의 특성, RF기술에 대한 교육이 진행된다. 본 과정을 통해 플라즈마 건식 식각공정에서 장비특성, 공정변수와 공정 결과를 플라즈마 내의 전자, 이온, 라디칼의 특성변화와 연결하여 이해할 수 있는 기초 지식을 습득하는 것을 목표로 한다. 또한 플라즈마와 Dry Etching 공정을 이해하고 플라즈마 Dry Etcher 설계를 위한 기초적 지식을 습득하는 것을 목표로 한다. 간단한 플라즈마 시뮬레이션을 통하여 공정조건에 따른 플라즈마 변화도 실습한다.
교육내용      
· 플라즈마 기초
· 플라즈마 Physic
· 플라즈마 Etcher Source 종류
· 플라즈마 에칭 공정 메카니즘
· 플라즈마 에칭 공정 이슈
· 플라즈마 Etcher에 따른 공정 특성
· 플라즈마 Etcher의 RF Source 설계 기술
· 플라즈마 Simulation(O-D Simulation)
교육기간 3일
강사진 업체전문가, 교수
교육방법 강의, 실습, 토론
교육비 300,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차
1교시
(09:00~09:50)
  플라즈마 에칭 공정
메카니즘
Plasma Simulation
(O-D Simulation)
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
플라즈마 기초
3교시
(10:00~10:50)
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
플라즈마 Physic
플라즈마 Etcher Source
종류
플라즈마 에칭 공정 이슈
플라즈마 Etcher에 따른
공정 특성
Plasma Etcher의
RF Source 설계 기술
5교시
(14:00~14:50)
6교시
(15:00~15:50)
7교시
(16:00~16:50)
박막 증착에 사용되는 PECVD/ALD 공정의 표면 화학 증착 반응에 대한 기본적 강의와 대면적 균일도 향상을 위한 가스 유동에 대한 이론 소개, 플라즈마원의 특징 및 플라즈마가 표면 증착 반응에 미치는 영향 등에 대해서 강의한다.
교육내용      
·화학반응 기초
·진공내 표면반응의 원리와 유동의 영향
·PECVD 공정원리 및 응용
·PECVD 장비의 구성
·ALD/PEALD 공정 원리
·ALD/PEALD 응용 예와 장비 구성
교육기간 3일
강사진 업체전문가, 교수
교육방법 강의, 토론
교육비 300,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차
1교시
(09:00~09:50)
  PECVD 공정원리 ALD/PEALD 공정 원리
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
화학반응 기초
3교시
(10:00~10:50)
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
진공내 표면반응의
원리와 유동의 영향
PECVD 장비의 구성 ALD/PEALD 응용 예와
장비 구성
5교시
(14:00~14:50)
6교시
(15:00~15:50)
7교시
(16:00~16:50)
토론 및 수료식
반도체에 대한 기본 지식이 있는 교육생을 대상으로 반도체의 소자 구조 및 동작, 소자의 집적화 등에 대한 기술적인 이해가 교육의 목표이다. 본 교육에서는 집적화 과정에 대한 기초 및 심층 이해에 집중하며, 특히 Memory 소자로써 DRAM, NAND Flash Memory, 그리고 Logic 소자에 대한 집적화 과정을 Illustraion 및 Animation 등을 활용해서 보다 쉽게 설명하면서 교육생의 이해도를 높힌다.
교육내용      
·DRAM Technology
·Flash Memory Technology
·Logic Technology
교육기간 3일
강사진 교수
교육방법 강의, 토론
교육비 350,000원
교육시간표      
시간/차수 1일차 2일차 3일차
1교시
(09:00~09:50)
  Flash Memory Technology Logic Technology
등록 및 교육소개
2교시
(10:00~10:50)
DRAM Technology
3교시
(10:00~10:50)
중식(12:00~13:00)
4교시
(13:00~13:50)
DRAM Technology Flash Memory Technology Logic Technology
5교시
(14:00~14:50)
6교시
(15:00~15:50)
7교시
(16:00~16:50)
토론 및 수료식