S emiconductor   E quipment
T echnology   E ducation   C enter
¹ÝµµÃ¼Àåºñ±â¼ú±³À°¼¾ÅÍ

¿ø°Ý±³À°°úÁ¤ ¾È³»

- ÄÄÇ»ÅÍ·Î ±³À°À» ¼ö°­ÇϹǷΠ¿øÇÏ´Â Àå¼Ò ¹× ½Ã°£¿¡ ¼ö°­ °¡´É
- ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤ °ü·Ã 3°³°úÁ¤°ú Áø°ø±â¼ú°úÁ¤ ÃÑ 4°³°úÁ¤ °³¼³
- ½Ç½ÀÀÌ ÀÖ´Â ÀϺΰúÁ¤Àº ½Ç½ÀÀ» À§ÇØ 1ÀÏÀº Áýü±³À°À¸·Î ÁøÇà
- ºñȯ±Þ°úÁ¤

-±âÁ¸ "¹ÝµµÃ¼±âÃÊ°úÁ¤"À» ¾÷µ¥ÀÌÆ®ÇÑ °úÁ¤
-°ü·ÃÁö½ÄÀÌ ºÎÁ·ÇÑ ºÐµé, ½ÅÀÔ»ç¿ø µî ´ë»óÀ¸·Î ±âÃʺÎÅÍ °­ÀÇ
-¹ÝµµÃ¼ °³³äºÎÅÍ ¼ÒÀÚ, °øÁ¤, Àåºñ, »ê¾÷ µî Àü¹Ý¿¡ ´ëÇÑ ³»¿ë Æ÷ÇÔ
-±×¸² µîÀ» À§ÁÖ·Î, ÀÌÇØÁß½ÉÀÇ ¼³¸í
-ÇöÀç »ê¾÷ü¿¡¼­ »ç¿ëÇÏ°í ÀÖ´Â ±â¼úÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ ³»¿ë

* ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº µ¿¿µ»ó ÂüÁ¶( ¼Ò°³ÀÚ·áPDF)
¼Ò°³ µ¿¿µ»ó
¡¤ ÆÐÅ°Áö±¸¼º
°úÁ¤¸í ±¸¼º ±â°£ ºñ°í ±³À°ºñ
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤°úÁ¤ 1 ¹ÝµµÃ¼ °³¿ä ¹× ¼ÒÀÚ
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤
¿ø°Ý(¿Â¶óÀÎ)
(4ÁÖ, 26Â÷½Ã)
- 350,000¿ø
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤°úÁ¤ 2 ¹ÝµµÃ¼ °³¿ä ¹× ¼ÒÀÚ
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ ½Ç½À
¿ø°Ý(¿Â¶óÀÎ)
(4ÁÖ, 26Â÷½Ã)
+ ½Ç½À (Áýü1ÀÏ)
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤°úÁ¤
(Áýü) µ¿ÀÏ
550,000¿ø
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤°úÁ¤ 3 ¹ÝµµÃ¼ °³¿ä ¹× ¼ÒÀÚ2
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ ½Ç½À
¿ø°Ý(¿Â¶óÀÎ)
(4ÁÖ, 31Â÷½Ã)
+ ½Ç½À (Áýü1ÀÏ)
- 600,000¿ø
¡¤ ÆÐÅ°Áö±¸¼º ³»¿ë
±¸ºÐ ÁÖ¿ä ³»¿ë ¹æ¹ý µ¿¿µ»ó¼ö
¹ÝµµÃ¼ °³¿ä ¹× ¼ÒÀÚ - °³¿ä : °³³ä, ¹ÝµµÃ¼ Àç·á, ½Ç¸®ÄÜ
- ¼ÒÀÚ : ´ÙÀÌ¿Àµå, Ä¿ÆнÃÅÍ, MOSFET ±â¼ú µ¿Çâ
¿ø°Ý
or
Áýü
5
¹ÝµµÃ¼ °³¿ä ¹× ¼ÒÀÚ2 <Ãß°¡ ³»¿ë>
- ¼ÒÀÚ : ³»¿ë, ¸Þ¸ð¸®(DRAM&Flash)
10
¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤(Àü°øÁ¤) - ĨÁ¦Á¶ °³¿ä ¹× Àç·á Áغñ
- »êÈ­°øÁ¤, ¸·ÁõÂø°øÁ¤(ÇöóÁ), Photo°øÁ¤, ½Ä°¢°øÁ¤,
  ºÒ¼ø¹°ÁÖÀÔ°øÁ¤, Æòźȭ°øÁ¤, ¼¼Á¤°øÁ¤
- ÁÖ¿ä Process
- 3Â÷¿ø Diode ¹× MOSFET Á¦Á¶ °øÁ¤
21
Áýü±³À°°úÁ¤ ¾È³»ÀÇ ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤½Ç½À°úÁ¤ ÂüÁ¶ Áýü -

±³À°½Åû(SETEC-Online À̵¿)
¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ, ÆòÆǵð½ºÇ÷¹ÀÌ, ž籤, ÀÌÂ÷ ÀüÁö µîÀ» °ÅÀÇ ¸ðµç »ê¾÷ ºÐ¾ß¿¡ ÇÊ¿äÇÑ Áø°ø ±â¼úÀÇ ±âÃÊ¿¡¼­ ÀÀ¿ë ºÐ¾ß±îÁö ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï »ó¼¼ÇÏ°Ô ±³À°ÀÌ ÁøÇàµÈ´Ù. Áø°ø ±âÃÊ, Áø°ø ¹è°üÀÇ conductance, Áø°ø Çü¼º ¹× À¯Áö¿¡ ÇÊ¿äÇÑ Áø°ø ÆßÇÁ Á¾·ù, ±¸Á¶, ÀÛµ¿¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÏ°í, Áø°ø °ÔÀÌÁöÀÇ Á¾·ù, ±¸Á¶ ¹× µ¿ÀÛ ¿ø¸®¸¦ ¼³¸íÇÑ´Ù. Áø°ø ¹è±â ½Ã½ºÅÛ¿¡¼­ÀÇ ´©¼³(Leakage)·Î ÀÎÇÑ ¹®Á¦, °£´ÜÇÑ Áø°ø ½Ã½ºÅÛÀÇ ±¸¼º°ú ¿î¿µ µî¿¡ ´ëÇØ ¼³¸íÇÑ´Ù.
±³À°³»¿ë °­»çÁø ±³À°
¹æ¹ý
µ¿¿µ»ó¼ö
(Â÷½Ã)
±³À°ºñ
¡¤ Áø°ø ±â¼ú ÀÀ¿ë ºÐ¾ß, Áø°ø°ú ¾Ð·ÂÀÇ Á¤ÀÇ, ¿£Áö´Ï¾îµéÀÇ ¿ÀÇØ, Gas flow pattern
¡¤ ÀÌ»ó±âü »óÅ ¹æÁ¤½Ä, outgassing, ¹°(¼öÁõ±â), ¹°¸® ÈíÂø°ú È­ÇÐ ÈíÂø, Å»ÂøÀ²
¡¤ Áø°ø chamberÀÇ ¹è±â °úÁ¤, ±âü/Áõ±âÀÇ Ã¼Àû, slow pumping, MFC, Áú·® vs üÀû À¯·®
¡¤ À̼۽Ä/Æ÷ȹ½Ä Áø°øÆßÇÁ, Áø°øÆßÇÁ ¼º´ÉÃøÁ¤(ISO21360), Pumping speed vs throughput
¡¤ Conductance¿Í À¯È¿ ¹è±â ¼Ó·Â, Áø°ø ¹è°ü È®°ü È¿°ú, ¾Ð·Â Á¦¾î ¹ëºê(APC)
¡¤ ¿ëÀû ÀÌ¼Û½Ä Áø°ø ÆßÇÁ, Gas ballast(N2 purge), ¿ëÀû ÀÌ¼Û½Ä Áø°ø ÆßÇÁÀÇ ¼³°è ¹è±â ¿ë·®
¡¤ Åͺ¸ ºÐÀÚ ÆßÇÁÀÇ ÀåÂø, Åͺ¸ ºÐÀÚ ÆßÇÁ ¼º´É¿¡ ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ¡´Â ¿ëÀεé
¡¤ Å©¶óÀÌ¿À ÆßÇÁ, OLED ÁõÂø, ¼öºÐ(H2O)¹è±â, Å©¶óÀÌ¿À ÆßÇÁ¿Í Åͺ¸ ºÐÀÚ ÆßÇÁ ºñ±³
¡¤ ´©¼³(leak)ÀÇ ±¸ºÐ, ´©¼³·®ÀÇ Á¤ÀÇ, ´©¼³·®¿¡ ´ëÇÑ °æÇèÀû ±âÁØ, He leak detector
¡¤ Á÷Á¢/°£Á¢ Áø°ø °ÔÀÌÁö(ÈûvsºÐÀÚ °³¼ö), Ư¼º ¹× ÁÖÀÇ»çÇ×(»ç¿ë½Ã ¹®Á¦), calibration
¾÷üÀü¹®°¡ ¿ø°Ý 20 300,000¿ø

±³À°½Åû(SETEC-Online À̵¿)